Numer produktu producenta:
TSM120N06LCR RLG
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM120N06LCR RLG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Magazyn:
12900028
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM120N06LCR RLG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
54A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2116 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
TSM120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM120N06LCR RLGTR
TSM120N06LCRRLGTR
TSM120N06LCR RLGDKR-DG
TSM120N06LCR RLGTR-DG
TSM120N06LCR RLGCT
TSM120N06LCRRLGCT
TSM120N06LCRRLGDKR
TSM120N06LCR RLGCT-DG
TSM120N06LCR RLGDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM70N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
DMP3004SSS-13
MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2